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高分子輔助沉積法制備鎢摻雜的二氧化釩薄膜
作者:
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normal'>林媛
單位:
電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室
關鍵詞:
二氧化釩
薄膜
摻雜
相變溫度
熱滯回線
分類號:TQ135.11;TB383.2
出版年,卷(期):頁碼:2020,48(7):1074-1080
DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2020.07.20200017
摘要:
利用高分子輔助沉積法(PAD)制備出鎢摻雜二氧化釩(VO2)薄膜。采用X射線衍射、光電子能譜、掃描電子顯微鏡、Raman光譜等表征技術對不同含量鎢摻雜的VO2薄膜性能進行了研究。結果表明:利用PAD方法制備的VO2薄膜質量較好,且鎢離子摻雜成功。同時Raman光譜顯示,鎢摻雜1.0%(摩爾分數)的薄膜在相變過程中出現M2相。電學測試結果顯示,鎢摻雜的VO2薄膜相變溫度大幅下降,每摻雜0.3%(摩爾分數)的鎢離子,相變溫度下降10℃,且隨著鎢摻量的增加,VO2薄膜的熱滯回線寬度減小。
基金項目:
國家自然科學基金(51872038,61825102); “111”項目(B18011);
作者簡介:
參考文獻:
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