采用傳統固相法制備了Na0.25K0.25Bi2.5–xHoxNb2O9(NKBN–x Ho3+,0.000≤x≤0.030)鉍層狀陶瓷,研究了Ho3+摻雜對NKBN陶瓷結構、電學和上轉換發光性能的影響。X射線衍射譜表明Ho3+進入NKBN晶格形成了固溶體。隨著Ho3+摻雜量的增加,NKBN陶瓷的晶粒尺寸降低,當x=0.020時,樣品的壓電和鐵電性能均達到最佳:d33=21.8pC/N2Pr=1.84μC/cm。(d33為壓電常數,Pr為剩余極化強度)所有樣品在400℃均未出現明顯的退極化現象,在高溫下表現出良好的壓電穩定性。在980 nm激光激發下,所有陶瓷樣品均表現出上轉換熒光發光特性,表明NKBN–x Ho3+陶瓷在光電多功能材料領域具有潛在的應用價值。隨著極化電壓的增加,陶瓷樣品的晶格結構對稱性提高,上轉換熒光發光強度降低。
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